简介:半导体制造商一直在寻找环氧树脂和共晶焊锡材料芯片在键合和集成电路应用中迅速冷却方法。最常见的方法是加热，气温上升激活环氧或熔体共晶材料，包装必须冷却以使粘合剂在从设备上被取出之前提供足够的力量。这种方法要花很多时间。随时可从加热和冷却步骤中剃光，使半导体制造商可以增加其产量。
半导体制造商一直在寻找环氧树脂和共晶焊锡材料芯片在键合和集成电路应用中迅速冷却方法。最常见的方法是加热，气温上升激活环氧或熔体共晶材料，包装必须冷却以使粘合剂在从设备上被取出之前提供足够的力量。这种方法要花很多时间。随时可从加热和冷却步骤中剃光，使半导体制造商可以增加其产量。
最近加热器技术的发展允许使用氮化铝（氮化铝），为结构矩阵的取暖炉供暖包装半导体芯片键合，超过了其他材料，减少加热时间。工程师已研制出一种氮化铝矩阵加热器，设计与集成的热发电电阻器电路，使线索电力将直接连到氮化铝矩阵。热电偶集成了以AlN 矩阵包括第三套的附件导致矩阵。这种配置创造了迅速发生的热, 然而, AlN 陶瓷需要迅速冷却以使半导体包装被移动。
工程师也试验了其他几种可能的代替方法，譬如液体水或油冷却, 热电元素, 和吸热器,可以迅速冷却。对这些选择的成本效益分析表明, 压力空气冷却会是一个好的, 低廉的, 和方便选择的AlN 热化技术，可以推广应用。
