功率MOSFET可分成两类：P沟道及N沟道：中间箭头向里的是N沟道而箭头向外的是P沟道。它有三个极：漏极（D）。源极（S）及栅极（G）。有一些功率MOS-FET内部在漏源极之间并接了一个二极管或肖特基二极管，这是在接电感负载时，防止反电势损坏MOSFET。
这两类MOSFET的工作原理相同，仅电源电压控制电压的极性相反。>功率mosfet的原理
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面,当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。>功率mosfet的特点
1、mosfet是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级。电路较简单
2、输入阻抗高，可达108Ω以上
3、工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗小
4、有较优良的线性区，并且mosfet的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高，噪声也小，最适合制作Hi-Fi音响
5、功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。>功率mosfet的应用
功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。近年来，功率MOSFET广泛地应用于电源、计算机及外设（软、硬盘驱动器、打印机、扫描器等）、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。 功率MOSFET是电压型驱动器件,没有少数载流子的存贮效应,输入阻抗高,因而开关速度可以很高,驱动功率小,电路简单.但功率MOSFET的极间电容较大,输入电容CISS,输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为: 功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络,它的工作速度与驱动源内阻抗有关.由于CISS的存在,静态时栅极驱动电流几乎为零,但在开通和关断动态过程中,仍需要一定的驱动电流.假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS,开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分. 开关管关断过程中,CISS通过ROFF放电,COSS由RL充电,COSS较大,VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)的升高COSS迅速减小至接近于零时,VDS(T)再迅速上升. 根据以上对功率MOSFET特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低电阻放电回路,以提高功率MOSFET的开关速度;③为了使功率MOSFET可靠触发导通,触发脉冲电压应高于管子的开启电压,为了防止误导通,在其截止时应提供负的栅源电压;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流,功率管极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大
