功率场效应管(MOSFET)与双极型功率相比具有如下特点：
1．场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；
2．输入阻抗高，可达108Ω以上；
3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；
4．有较优良的线性区，并且场效应管(MOSFET)的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作Hi-Fi音响；
5．功率场效应管(MOSFET)可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。>功率场效应管的主要参数
（1）漏极击穿电压BUD是不使器件击穿漏漏极击穿电压BUD的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD随结温的升高而升高，这点正好与GTR和GTO相反。
（2）漏极额定电压UDUD是器件的标称额定值。
（3）UT漏极电流ID和IDMID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值。
（4）栅极开启电压UT又称阀值电压，是开通PowerMOSFET的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。
（5）跨导gmgm是表征PowerMOSFET栅极控制能力的参数。>功率场效应管的典型应用
1．电池反接保护电路
电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON）约为0.04Ω，则在lA时约为0.04V。这时要注意在电池正确安装时，ID并非完全通过管内的二极管，而是在VGS≥5V时，N导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从S流向D的(ID为负)。而当电池装反时，场效应管(MOSFET)不通，电路得以保护。
2．触摸调光电路
一种简单的触摸调
3．甲类功率放大电路
由R1、R2建立VGS静态工作点(此时有一定的ID流过)。当音频信号经过C1耦合到栅极，使产生-△VGS，则产生较大的△ID，经输出变压器阻抗匹配，使4～8Ω喇叭输出较大的声功率。图ll中Dw为9V稳压二极管，是保护G、S极以免输入过高电压而击穿。从图中也可以看出，偏置电阻的数值较大，因为栅极输入阻抗极高，并且无栅流。
