英飞凌FF300R17ME3 产品参数
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
品牌和型号 英飞凌FF300R17ME3
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 375 A
最大工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： Econo D
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
FF300R17ME3价格和中文资料 联系我们咨询和索取
深圳德意志工业库存 80个
安装风格： Screw
工厂包装数量： 12
英飞凌FF300R17ME3 等效电路图
英飞凌FF300R17ME3 外形封装尺寸和结构图 .mm
英飞凌FF300R17ME3 在光伏发电系统中的完美运用
除了降低Vce（on）外，通过将IGBT改成更薄的结构可以降低开关能量。结构越薄则空穴-电子复合速度就越快，这降低了IGBT关断时的拖尾电流。为保持相同的耐击穿电压能力，在沟道型IGBT内构造了一个n场阻止层，以便在IGBT上的电压增大时，阻止电场到达集电极区域。这样实现的更低的传导能量和开关能量允许逆变器的尺寸更小，或者相同尺寸逆变器的功率密度更大。
在太阳能发电系统中太阳能电池板需要串联或并联工作，太阳能模块产生的直流电压在几百伏的数量级，如600V或1200V。上述最新的IGBT技术使得针对20kHz开关应用的最新一代600V沟道型IGBT得以实现。通过测量所降低功耗表明，采用新型经优化的沟道型IGBT器件，可使散热片温度降低16%。功耗的降低使IGBT的效率比前一代IGBT器件提高了近30%。
GongYES工业思™是专业电子零件销售平台。各大品牌产品：IGBT、电流传感器、熔断器、光耦、钽电容、继电器等国际品牌电源模块全国销售，全新原装，质量保证！
联系人：吴小姐
咨询电话：0755-33556146
手机专线：15712055037
QQ邮箱：Info@gongyes.com
深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702
