前言
用于建筑照明方面的电力管理解决办法，如电感荧光灯，电子荧光灯，紧凑型荧光灯(cfl)，卤素灯控制集成电路以及高压气体放电灯(h1d)技术等, 用于范围宽广的居民区、商业和汽车中，减少了它们所需要的电力,在节能方面向前迈进了巨大的一步。其控制集成电路中的自适应控制技术和高电压半导体结隔离技术是其中的一部分,获得了广泛应用。
应该说,目前照明控制ic的主要应用领域为：工业建筑和办公室用直管和紧凑型荧光灯照明设备;住宅和旅馆用紧凑型荧光灯照明设备cfl及冷阴极荧光灯ccfl;零售照明设备市场的卤素灯和室外照明设备的hid;单白光led及照相机闪光灯;oled及tft显示器等。
新型建筑照明控制ic技术
目前，在照明控制ic(即电子变换器)设计方面，存在两种不同的典型方法。第一种方法基于ic器件，与若干个外部无源器件一起，驱动两个高压(通常高于400v)功率mos晶体管，实现一个半桥变换器;第二种方法基于两个高压双极晶体管和大量的无源器件，但是只能实现部分功能。双极解决方案被用于成本极其低廉的中低端应用。
适合于电子镇流器的高压隔离结ic技术
这些控制ic推动了高压隔离结技术以满足节能产品应用成本和可靠性的两个要求。如今普遍将控制ic-高压隔离结技术应用到镇流器中，生产出了具有竞争性、高性能和高度可靠的产品。现在面临的挑战是通过控制光源的新ic将它们扩展到其他照明市场部分。
这项高压隔离结ic技术允许电路放置在隔离的“井”里面，这个“井”到低压电路可以有600v隔离。
这是因为当今不少照明技术均与高电压功率mosfet技术相联在一起的,其分离产品系列包括大量不同型号的器件，范围从桥式整流器和肖特基二极管到功率mosfet和igbt。
高压隔离结ic技术的特征是,使高端及低端的驱动功能融合于单一芯片内，以控制多种开关转换器的拓扑结构。这些拓扑结构之一是广泛应用在电子镇流器中的半桥结构。这使得该技术非常适合于电子镇流器产业。
荧光灯照明的 ir2153与ir2166控制 ic
ic ir2153把标准555时基电路与高端和低端半桥驱动器结合在一起。这个ic与高压mosfet一起,很快就被照明技术采用，并成为了电子镇流器的一个标准控制器,可以作为未来照明设备控制ic发展的基础。由于ir2153被广泛应用并作改进成为irs2153d，其顶部更加坚实耐用，且集成了必要的自举二极管。
ir2156和ir2166控制ic是在ir2153基础上改进的镇流器技术，它集成了另外的功能到ir2153中，这是更加完善控制荧光灯的要求。它们包括最大化灯寿命和提高镇流器可靠性所必需的预加热和故障保护功能。ir2166进一步改进，并集成了有源功率因素校正(pfc)控制，与镇流器控制一起实现整个镇流器的单芯片解决方案。因为对于功率级别在25w以上，pfc在欧洲是强制的，世界的其他地方正在跟随同样的趋向。
ir2166在同一个ic中包括二个分开的振荡器,一个用于控制镇流器输入而另一个用于控制灯。并且，为了满足t5荧光灯的新要求，ir2166设有寿命终期(eol)引脚以探测灯在接近寿命末期时发生的过压，在这些高电压产生损害之前安全地关闭镇流器。
智能功率技术的荧光灯驱动电路
这是采用固定频率(高达200khz左右)半桥拓扑驱动线性荧光灯管的解决方案。该方案采用了系统芯片的方法：在同一个芯片vk06t上集成控制部分、保护电路和功率级。由于采用这种单片电路的方法，系统可靠性得到了提高，此外，系统集成和小型封装还实现了更小。
vk06tl驱动电路芯片应用智能功率vipovver m3-3制造技术,允许在同一芯片vk06tl上集成控制部分和功率级。功率级是一个“发射极开关”，这个“发射极开关”通过在一个共射-共基放大器结构中放置一个双极高压达林顿晶体管和一个低压mos场效应晶体管制成的。因此，这个方案实现了双极器件的低压降与断态时高击穿电压之间的平衡，以及mos场效应晶体管的开关速度快的特性。因此，这个“发射极开关”结构可以实现一个很高的频率(200khz左右)。
