NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。
主要性能参数
晶体结构：正交
晶胞参数：Å a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔点：1600℃
密度：7.57g/cm3
介电常数：25
生长方法：提拉法
尺寸：10x3，10x5，1010，15x15，，2015，2020，Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
厚度：0.5mm，1.0mm
抛光：单面或双面
晶向：＜100＞ ＜110＞ ＜111＞
晶面定向精度：±0.5°
边缘定向精度：2°（特殊要求可达 1°以内）
斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角 1°－45°）的晶片。
Ra：≤5Å（5µm×5µm）
包装:100 级洁净袋，1000 级超净室
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